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半導体結晶微小欠陥検査装置



Si GaAs CdTe ZnSe酸化物結晶等 結晶内に存在する 転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなどの 微小欠陥を光散乱トモグラフィ法と ＰＬ法により 高感度検出します。

特徴



  • ★☆高感度　　　欠陥径　　　　　２０nｍ以下
  • ★☆高分解能　　欠陥検出断層　　５μｍ以下
  • ★☆広視野　　　スキャン範囲　　５ｍｍ以上

Dislocations in In doped GaAs
転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなどの

Entangled dislocation loops observed by LST


Entangled dislocation loops observed by PLT