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半導体結晶微小欠陥検査装置



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Si GaAs CdTe ZnSe酸化物結晶等 結晶内に存在する 転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなどの 微小欠陥を光散乱トモグラフィ法と PL法により 高感度検出します。

特徴



  • ★☆高感度   欠陥径     20nm以下
  • ★☆高分解能  欠陥検出断層  5μm以下
  • ★☆広視野   スキャン範囲  5mm以上

Dislocations in In doped GaAs
転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなどの

Entangled dislocation loops observed by LST


Entangled dislocation loops observed by PLT