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          半導体



          半導体結晶微小欠陥検査装置
      

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              Si GaAs CdTe ZnSe酸化物結晶等 結晶内に存在する
転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなど の
微小欠陥を光散乱トモグラフィ法と PL法により
高感度検出します。







                  特徴


★☆高感度      欠陥径      20nm以下
★☆高分解能      欠陥検出断層      5μm以下
★☆広視野      スキャン範囲      5mm以上



Dislocations in In doped GaAs


Entangled dislocation loops observed by LST


Entangled dislocation loops observed by PLT