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半導体 |
Si GaAs CdTe ZnSe酸化物結晶等
結晶内に存在する 転位、積層欠陥、 析出物、残留歪、ドーピングむらなど の 微小欠陥を光散乱トモグラフィ法と PL法により 高感度検出します。 ![]() |
特徴
![]() ★☆高感度 欠陥径 20nm以下 ★☆高分解能 欠陥検出断層 5μm以下 ★☆広視野 スキャン範囲 5mm以上 ![]() Dislocations in In doped GaAs |
![]() ![]() Entangled dislocation loops observed by LST |
![]() Entangled dislocation loops observed by PLT |